多晶硅龍頭保利協(xié)鑫能源近日發(fā)布第二代類單晶硅片產(chǎn)品“鑫單晶G2”。相較于第一代類單晶產(chǎn)品G1，“鑫單晶G2”平均光電轉(zhuǎn)換效率超過(guò)19%，提升了1.1%，可用于制備280/335W(60/72PCS)以上電池組件。

相較于以傳統(tǒng)直拉法制得的單晶產(chǎn)品，“鑫單晶G2”在電池制備過(guò)程中有0.5%的額外效率增益，光衰平均低1%，具有轉(zhuǎn)換效率相近、面積大、封裝損失低等特點(diǎn)。

“鑫單晶G2”，加上原有的“鑫單晶G1”，高效多晶S1、S2、S3，經(jīng)過(guò)不同的電池工藝，可制備從250/300W(60/72PCS)到290/345W (60/72PCS)多種功率的組件產(chǎn)品。

保利協(xié)鑫人員表示，第二代類單晶硅片產(chǎn)品“鑫單晶G2”，預(yù)計(jì)于明年進(jìn)入商業(yè)化量產(chǎn)。

據(jù)悉，保利協(xié)鑫明年的硅片產(chǎn)能，有望從目前的8GW提升到10GW。而正在推行的硅烷流化床技術(shù)，可降低多晶硅生產(chǎn)成本至約10美元/公斤。