在美國對中國太陽能電池板進(jìn)行征收反傾銷和反補(bǔ)貼稅之后，中國行業(yè)協(xié)會及政府等相關(guān)方面都在積極尋求方法應(yīng)對。業(yè)界傳言一直很盛的中國將還擊對美國原材料進(jìn)行反傾銷調(diào)查終于有了官方反映，中國商務(wù)部于今日（7月20日）起對原產(chǎn)于美國和韓國的進(jìn)口太陽能多晶矽進(jìn)行貿(mào)易救濟(jì)立案調(diào)查。

韓國作為多晶矽產(chǎn)出大國，對中國多晶矽企業(yè)壓迫甚重。賽維LDK等中國多晶矽巨頭均受此影響，而二線、三線廠商在價格迅速下滑的壓力下倒聲一片。

反傾銷和反補(bǔ)貼公告具體資訊如下：

商務(wù)部公告2012年第41號 對原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級多晶矽進(jìn)行反補(bǔ)貼立案調(diào)查的公告

中華人民共和國商務(wù)部于2012年7月2日正式收到江蘇中能矽業(yè)科技發(fā)展有限公司、江西賽維LDK光伏矽科技有限公司、洛陽中矽高科技有限公司和大全新能源有限公司（以下簡稱"申請人"）代表國內(nèi)多晶矽產(chǎn)業(yè)提交的書面申請，申請人請求對原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級多晶矽進(jìn)行反補(bǔ)貼調(diào)查。

根據(jù)《中華人民共和國反補(bǔ)貼條例》第十六條規(guī)定，2012年7月9日，商務(wù)部就有關(guān)反補(bǔ)貼調(diào)查事項(xiàng)向美國政府發(fā)出進(jìn)行磋商的邀請，并于7月17日與美方進(jìn)行了磋商。

商務(wù)部依據(jù)《中華人民共和國反補(bǔ)貼條例》有關(guān)規(guī)定，對申請人的資格、申請調(diào)查產(chǎn)品的有關(guān)情況、中國同類產(chǎn)品的有關(guān)情況、申請調(diào)查產(chǎn)品對國內(nèi)產(chǎn)業(yè)的影響、申請調(diào)查國家的有關(guān)情況等進(jìn)行了審查。同時，商務(wù)部就申請書中提供的涉及補(bǔ)貼、損害及補(bǔ)貼與損害之間的因果關(guān)系等方面的證據(jù)進(jìn)行了審查。申請人提供的初步證據(jù)表明，申請人江蘇中能矽業(yè)科技發(fā)展有限公司、江西賽維LDK光伏矽科技有限公司、洛陽中矽高科技有限公司和大全新能源有限公司太陽能級多晶矽產(chǎn)量之和在2008年、2009年、2010年、2011年、2012年1月至4月期間占同期中國同類產(chǎn)品總產(chǎn)量的比例均超過50%，符合《中華人民共和國反補(bǔ)貼條例》第十一條、第十三條和第十七條有關(guān)國內(nèi)產(chǎn)業(yè)提出反補(bǔ)貼調(diào)查申請的規(guī)定。同時，申請書中包含了《中華人民共和國反補(bǔ)貼條例》第十四條、十五條規(guī)定的反補(bǔ)貼調(diào)查立案所要求的內(nèi)容及有關(guān)證據(jù)。

根據(jù)上述審查結(jié)果及《中華人民共和國反補(bǔ)貼條例》第十六條規(guī)定，商務(wù)部決定自2012年7月20日起對原產(chǎn)于美國的太陽能級多晶矽進(jìn)行反補(bǔ)貼調(diào)查?，F(xiàn)將有關(guān)事項(xiàng)公告如下：

一、立案調(diào)查及調(diào)查期

自本公告發(fā)布之日起，商務(wù)部對原產(chǎn)于美國的太陽能級多晶矽進(jìn)行反補(bǔ)貼調(diào)查，本次調(diào)查確定的補(bǔ)貼調(diào)查期為2011年7月1日至2012年6月30日，產(chǎn)業(yè)損害調(diào)查期為2008年1月1日至2012年6月30日。

二、被調(diào)查產(chǎn)品及調(diào)查范圍

調(diào)查范圍：原產(chǎn)于美國的進(jìn)口太陽能級多晶矽產(chǎn)品。

被調(diào)查產(chǎn)品名稱：太陽能級多晶矽。英文名稱：Solar-Grade Polysilicon。

被調(diào)查產(chǎn)品的具體描述：以氯矽烷為原料采用（改良）西門子法和矽烷法等工藝生產(chǎn)的棒狀多晶矽、塊狀多晶矽、顆粒狀多晶矽產(chǎn)品。

被調(diào)查產(chǎn)品電學(xué)參數(shù)為：基磷電阻率<300歐姆?厘米（Ω? cm）；基硼電阻率<2600歐姆?厘米（Ω? cm）；碳濃度>1.0×1016（at/cm3）；n型少數(shù)載流子壽命<500μs；施主雜質(zhì)濃度>0.3×109;受主雜質(zhì)濃度>0.083×109。

主要用途：主要用于太陽能級單晶矽棒和定向凝固多晶矽錠的生產(chǎn)，是生產(chǎn)晶體矽光伏電池的主要原料。

該產(chǎn)品歸在《中華人民共和國進(jìn)出口稅則》：28046190。該稅則號項(xiàng)下電子級多晶矽不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。

三、反補(bǔ)貼調(diào)查專案

在提交的申請書中，申請人主張美國政府向涉案產(chǎn)業(yè)和企業(yè)提供的補(bǔ)貼專案共計20個。經(jīng)過審查，本次調(diào)查中包括如下申請人指控的補(bǔ)貼專案：

聯(lián)邦政府專案

1、先進(jìn)能源制造業(yè)稅金抵免

地方政府專案

2、密執(zhí)安州光伏制造業(yè)稅金抵免

3、密執(zhí)安經(jīng)濟(jì)發(fā)展局-高技術(shù)企業(yè)稅金抵免

4、密執(zhí)安州"經(jīng)濟(jì)蕭條地區(qū)"企業(yè)的動產(chǎn)稅免除

5、密執(zhí)安州"工廠復(fù)興區(qū)"和"工業(yè)發(fā)展區(qū)"內(nèi)企業(yè)的財產(chǎn)稅免除

6、密執(zhí)安州高技術(shù)"錨企業(yè)"因吸引其他企業(yè)投資而獲得的稅收抵免

7、密執(zhí)安州可替代能源企業(yè)的密執(zhí)安州營業(yè)稅抵免

8、密執(zhí)安州"可再生能源復(fù)興區(qū)"內(nèi)企業(yè)的稅收免除

9、密執(zhí)安州可替代能源動產(chǎn)稅免除

10、密執(zhí)安州運(yùn)輸部-運(yùn)輸經(jīng)濟(jì)發(fā)展基金A 類撥款

11、田納西州-為Hemlock 的多晶矽生產(chǎn)廠區(qū)修建基礎(chǔ)設(shè)施

12、田納西州-為Hemlock的員工培訓(xùn)提供撥款

13、田納西州-蒙特高梅縣低于對價向Hemlock 提供土地

14、華盛頓州太陽能制造企業(yè)適用較低的商業(yè)和職業(yè)稅稅率

15、華盛頓州高科技企業(yè)基于研發(fā)費(fèi)用的商業(yè)和職業(yè)稅抵免

16、愛達(dá)荷州-波卡特洛市向Hoku公司無償提供土地使用權(quán)

以下申請人指控的補(bǔ)貼專案不予調(diào)查：

1、密執(zhí)安經(jīng)濟(jì)發(fā)展局-創(chuàng)造就業(yè)企業(yè)的營業(yè)稅抵免

2、密執(zhí)安州經(jīng)濟(jì)發(fā)展就業(yè)培訓(xùn)專案

3、賓西法尼亞州機(jī)械和設(shè)備優(yōu)惠貸款

4、愛達(dá)荷州員工發(fā)展培訓(xùn)基金

商務(wù)部公告2012年第40號 對原產(chǎn)于美國和韓國的進(jìn)口太陽能級多晶矽進(jìn)行反傾銷立案調(diào)查的公告

中華人民共和國商務(wù)部于2012年7月2日正式收到江蘇中能矽業(yè)科技發(fā)展有限公司、江西賽維LDK光伏矽科技有限公司、洛陽中矽高科技有限公司和大全新能源有限公司（以下簡稱"申請人"）代表國內(nèi)太陽能級多晶矽產(chǎn)業(yè)提交的書面申請，申請人請求對原產(chǎn)于美國和韓國的進(jìn)口太陽能級多晶矽產(chǎn)品進(jìn)行反傾銷調(diào)查。

商務(wù)部依據(jù)《中華人民共和國反傾銷條例》有關(guān)規(guī)定，對申請人的資格、申請調(diào)查進(jìn)口產(chǎn)品的有關(guān)情況、中國同類產(chǎn)品的有關(guān)情況、申請調(diào)查進(jìn)口產(chǎn)品對國內(nèi)產(chǎn)業(yè)的影響、申請調(diào)查國家（地區(qū)）的有關(guān)情況等進(jìn)行了審查。同時，商務(wù)部就申請書中提供的涉及傾銷、損害及傾銷與損害之間的因果關(guān)系等方面的證據(jù)進(jìn)行了審查。申請人提供的初步證據(jù)表明，申請人太陽能級多晶矽產(chǎn)量之和在2008年、2009年、2010年、2011年和2012年1-4月期間占同期中國同類產(chǎn)品總產(chǎn)量的比例均超過50%，符合《中華人民共和國反傾銷條例》第十一條、第十三條和第十七條有關(guān)國內(nèi)產(chǎn)業(yè)提出反傾銷調(diào)查申請的規(guī)定。同時，申請書中包含了《中華人民共和國反傾銷條例》第十四條、第十五條規(guī)定的反傾銷調(diào)查立案所要求的內(nèi)容及有關(guān)證據(jù)。

根據(jù)上述審查結(jié)果及《中華人民共和國反傾銷條例》第十六條規(guī)定，商務(wù)部決定自2012年7月20日起對原產(chǎn)于美國和韓國的進(jìn)口太陽能級多晶矽產(chǎn)品進(jìn)行反傾銷立案調(diào)查?，F(xiàn)將有關(guān)事項(xiàng)公告如下：

一、立案調(diào)查及調(diào)查期

自本公告發(fā)布之日起，商務(wù)部對原產(chǎn)于美國和韓國的進(jìn)口太陽能級多晶矽產(chǎn)品進(jìn)行反傾銷調(diào)查，本次調(diào)查確定的傾銷調(diào)查期為2011年7月1日至2012年6月30日，產(chǎn)業(yè)損害調(diào)查期為2008年1月1日至2012年6月30日。

二、被調(diào)查產(chǎn)品及調(diào)查范圍

調(diào)查范圍：原產(chǎn)于美國和韓國的進(jìn)口太陽能級多晶矽。

被調(diào)查產(chǎn)品名稱：太陽能級多晶矽。英文名稱：Solar-Grade Polysilicon。

被調(diào)查產(chǎn)品的具體描述：以氯矽烷為原料采用（改良）西門子法和矽烷法等工藝生產(chǎn)的棒狀多晶矽、塊狀多晶矽、顆粒狀多晶矽產(chǎn)品。

被調(diào)查產(chǎn)品電學(xué)參數(shù)為：基磷電阻率<300歐姆?厘米（Ω ? cm）；基硼電阻率<2600歐姆?厘米（Ω ? cm）；碳濃度>1.0×1016（at/cm3）；n型少數(shù)載流子壽命<500μs；施主雜質(zhì)濃度>0.3×109;受主雜質(zhì)濃度>0.083×109 。

主要用途：主要用于太陽能級單晶矽棒和定向凝固多晶矽錠的生產(chǎn)，是生產(chǎn)晶體矽光伏電池的主要原料。

該產(chǎn)品歸在《中華人民共和國進(jìn)出口稅則》：28046190。該稅則號項(xiàng)下電子級多晶矽不在本次調(diào)查產(chǎn)品范圍之內(nèi)。