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美國(guó)研制出“連續(xù)滲透合成(SIS)”的技術(shù)，可提高太陽(yáng)能電池使用效率

作者: | 發(fā)布日期: 2010 年 11 月 19 日 14:27 | 分類(lèi): 產(chǎn)業(yè)資訊

美國(guó)科學(xué)家研制出了一種名為“連續(xù)滲透合成(SIS)”的技術(shù)，使用該技術(shù)，科學(xué)家可以用一塊由嵌段共聚物大分子組成的薄膜作為模板，制造出具有各種形狀和圖案的材料，并能更好地控制合成材料的幾何形狀和化學(xué)成分，有望用于制造新一代太陽(yáng)能電池、催化劑以及光子晶體。

這種新方法是原子層沉積(ALD)技術(shù)的擴(kuò)展，ALD是阿貢國(guó)家實(shí)驗(yàn)室科學(xué)家廣泛使用的一種材料合成技術(shù)，可以將物質(zhì)以單原子膜的形式一層一層地鍍?cè)诨妆砻?。而SIS不需要像ALD那樣層層鋪設(shè)不同奈米材料組成的薄膜，只需使用嵌段共聚物作為基座即可。采用SIS技術(shù)制造出來(lái)的材料將有助于提高太陽(yáng)能電池的效率，降低其成本。

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