技術(shù)對(duì)太陽(yáng)能業(yè)者而言既是命脈也是錢脈，但SNEC 2017 展會(huì)期間，隆基樂葉、保利協(xié)鑫分別無(wú)償公開各自在單晶、多晶方面的專利技術(shù)，引發(fā)業(yè)界關(guān)注。
隆基樂葉在4月20日宣布公開可降低單晶衰減問題的“光致再生（LIR）”技術(shù)。LIR技術(shù)被應(yīng)用于樂葉光伏所開發(fā)的Hi-MO2等單晶PERC組件產(chǎn)品當(dāng)中，可有效降低P型單晶電池常見的LID（光衰）問題，提高整體發(fā)電功率表現(xiàn)。
單晶組件的功率衰退分成初始光衰與長(zhǎng)期衰退兩類，其中初始光衰會(huì)使組件的發(fā)電性能從一開始就大幅降低。樂葉光伏為解決此問題，與新南威爾斯大學(xué)、武漢帝爾激光科技公司合作研發(fā)LIR技術(shù)，有效降低初始光衰，進(jìn)而提升光伏電站在系統(tǒng)端的整體發(fā)電效益約1%左右。隆基樂葉宣布分享LIR技術(shù)，希望能帶動(dòng)全球光伏產(chǎn)業(yè)進(jìn)展。
另一方面，在單晶強(qiáng)勢(shì)進(jìn)攻下快速發(fā)展的黑硅技術(shù)，也由保利協(xié)鑫帶頭宣布無(wú)償開放TS系列黑硅片的制絨（蝕刻）技術(shù)。4月21日，保利協(xié)鑫副總裁呂錦標(biāo)宣布公開此技術(shù)，希望能嘉惠更多業(yè)者。
保利協(xié)鑫的TS系列黑硅硅片采用金剛線切多晶硅片與獨(dú)家的“鑫絨面”多孔蝕刻技術(shù)，可降低成本同時(shí)提高轉(zhuǎn)換效率。在電池片上，轉(zhuǎn)換效率可提高0.3~0.5個(gè)百分點(diǎn)；在組件端上，降本幅度更可達(dá)每W人民幣0.1元。保利協(xié)鑫表示，目前全球有約55GW的多晶規(guī)模，多晶硅片年產(chǎn)能超過122億片，透過此技術(shù)，每片加工成本可降低0.5元人民幣以上，十分可觀。
業(yè)界對(duì)于單、多晶龍頭廠商帶頭開放技術(shù)的行為多表示贊許，并認(rèn)為這將幫助光伏發(fā)電進(jìn)一步走入市電同價(jià)（平價(jià)上網(wǎng)）階段。
