在PERC席卷高效電池技術之際，透過黑硅（black silicon）技術優(yōu)化金剛線切多晶硅片，進而提升多晶電池片轉換效率的技術，亦重新獲得重視。中國一線大廠晶科能源計劃透過PERC加上黑硅技術，在今年開始量產轉換效率達20.5%的高效多晶電池片。
在PERC技術進展下，晶科的量產多晶電池片轉換效率平均已接近20%，為業(yè)界龍頭。為進一步提高電池效率并降低硅片切割成本，晶科決定采用金剛線切搭配黑硅技術來處理。
金剛線切多晶硅片時，會使所生產的電池表面過于光亮，使光反射率過高而降低電池的轉換效率，因此需加上一道被稱為“黑硅技術”的表面蝕刻工藝處理，形成奈米級凹坑，增加入射光的捕捉量。
黑硅技術目前分成干法蝕刻離子反應法（Reactive Ion Etching，RIE）與濕法的金屬催化化學腐蝕法（Metal Catalyzed Chemical Etching，MECC）兩種，晶科所采用的是干法的RIE工藝，并已成功生產業(yè)界第一款金剛線切黑硅產品EAGLE BLACK；結合PERC與RIE技術，晶科希望在今年開始量產性價比更好的20.5%多晶高效電池片，較現(xiàn)行多晶PERC電池平均18.8~18.9%的效率更高。
此外，晶科亦著手研究低成本的MCEE工藝。該工藝已完成開發(fā)，目前正在進行認證。未來3至5年內，晶科希望能進一步量產60-cell輸出功率330W的組件，較目前功率提高22~30%。
