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GCL發(fā)布高效多晶硅片鑫多晶S3

作者: | 發(fā)布日期: 2013 年 05 月 16 日 10:27 | 分類: 產(chǎn)業(yè)資訊

保利協(xié)鑫能源控股有限公司日前在上海SNEC 2013上宣布,第三代高效多晶硅片產(chǎn)品——鑫多晶S3研發(fā)再獲成功。

據(jù)多家客戶測試資料回饋,鑫多晶S3較S2的光電轉(zhuǎn)換平均效率提高0.3-0.4%、效率分布集中度提高15%以上,硅片性能再次大幅度提升,可用于制備255/260W(60片)、305/310W(72片)電池組件,滿足高端客戶需求。

在現(xiàn)有多晶伏電池技術(shù)條件下,鑫多晶S3的晶體結(jié)構(gòu)特點(diǎn)能有效提升入射光吸收率,降低體載流子、表面載流子復(fù)合率,減少歐姆接觸電阻,進(jìn)而極大提升光電轉(zhuǎn)化效率。

保利協(xié)鑫執(zhí)行總裁舒樺先生表示,由于高效電池片及組件能夠有效降低光伏發(fā)電的BOS成本,因而成為光伏行業(yè)發(fā)展的潮流,而245W以下的組件(60片)未來的生存空間將十分有限。在目前行業(yè)的低迷期,高效多晶硅片‘鑫多晶S2’依然贏得高出貨量,已充分印證了這一趨勢。

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