N型硅襯底的優(yōu)點(diǎn):N型硅(n-Si)相對(duì)于P型硅來說,由于對(duì)金屬雜質(zhì)和許多非金屬缺陷不敏感,或者說具有很好的忍耐性能,故其少數(shù)載流子具有較長(zhǎng)而且穩(wěn)定的擴(kuò)散長(zhǎng)度。
如何在N型硅襯底上實(shí)現(xiàn)PN結(jié):硼擴(kuò)散制結(jié)、非晶硅/晶硅異質(zhì)結(jié)以及Al擴(kuò)散制結(jié)三種基本方法。
硼擴(kuò)散制結(jié)需要高溫,高溫是太陽(yáng)能電池制備工藝最忌諱的!
Al推進(jìn)制結(jié)目前受到普遍關(guān)注,因其價(jià)格低廉而又容易實(shí)現(xiàn)。
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